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삼성전자·SK하이닉스…반도체 전략은?[메모리 슈퍼사이클 온다③]

등록 2025-09-28 09:02:00 최종수정 2025-09-30 10:18:35

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보내는 내용	삼성전자·SK하이닉스…반도체 전략은?[메모리 슈퍼사이클 온다③] [서울=뉴시스]이현주 기자 = AI(인공지능) 열풍 속에 메모리 초호황기는 이미 예견됐다. AI 인프라 투자가 확대되면서 고대역폭메모리(HBM)는 물론 범용 반도체까지 수요가 늘 것이라는 예측이 나오고 있고 이에 대응하려는 한국 반도체 업체들의 움직임도 빨라지고 있다. 28일 업계에 따르면 글로벌 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 D램 범용제품(DDR4 8GB)의 평균 현물가격이 5.87달러를 기록했다고 집계했다. 올 초까지만 해도 1달러 초반에 머물던 D램 가격이 지난달 5.70달러를 넘어선 데 이어 연일 최고치를 경신하고 있는 것이다. 올해 4분기 HBM을 포함한 D램 가격이 20% 정도 상승할 것이라는 전망도 내놨다. HBM을 포함한 D램 가격은 전 분기 대비 13~18% 상승, HBM을 제외한 범용 D램도 8~13% 상승할 것이라는 예상이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 연초부터 생산능력을 높이며 수요 상승에 대비해 왔다. 여기에 공급 부족 전망까지 나오면서 가격 인상 움직임도 엿보인다. 삼성전자는 샌디스크, 마이크론에 이어 D램은 최대 30%, 낸드는 5~10%가량 제품 가격 인상을 시도하는 것으로 전해졌다. SK하이닉스도 조만간 가격 인상에 합류할 수 있다는 관측이다. ◆삼성전자, 평택 P4 등 공장 증설 '한창' 최근 엔비디아로부터 5세대 제품인 HBM3E 품질 검증을 통과한 것으로 알려진 삼성전자는 내년 HBM4 적기 공급을 위한 1c(10나노급 6세대) D램 투자에 매진하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리짓고, P3 등 기존 공장 전환투자에도 속도를 내고 있다. HBM4부터는 SK하이닉스 등 경쟁업체에 뒤처지지 않겠다는 의지도 읽힌다. D램 칩은 10나노급 5세대(1c) D램 기술을 기반으로 하는데, HBM에 1c D램 기술을 도입한 것은 삼성전자가 처음이다. 베이스 다이도 삼성전자가 직접 삼성 파운드리(반도체 위탁생산)에서 생산한다. 삼성전자는 "HBM4 1c 나노 공정의 양산 전환 승인을 완료하고 이를 기반으로 제품 개발을 완료해 주요 고객사에게 샘플을 이미 출하했다"고 전했다. 양산 준비도 본격적으로 진행 중인 것으로 알려졌다. ◆SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 속도 SK하이닉스 역시 생산량을 늘려가며 수요 증가에 대비하는 모습이다. 청주캠퍼스 M15의 차세대 D램 생산능력을 증설하고, 2027년 상반기 중 가동을 목표로 건설 중인 용인 반도체 클러스터도 공사에 속도를 내고 있다. 앞서 SK하이닉스는 지난 12일 HBM4 12단 개발을 끝내고, 양산 채비를 마쳤다고 공식화했다. 기존 5세대(HBM3E)에서 적용한 공정을 그대로 가져간다. D램 칩은 10나노급 5세대(1b) D램 기술을 기반으로 한다. 패키징은 기존에 쓰던 주력 기술인 어드밴스드 '매스리플로우-몰디드 언더필(MR-MUF)' 공정을 적용해 양산 과정의 리스크를 최소화했다. HBM 가장 아랫부분인 베이스다이 제작은 대만 TSMC와 협력하고 있다. 증권가에서는 SK하이닉스의 HBM 경쟁력 우위가 지속될 것으로 본다. BNK투자증권은 최근 보고서를 통해 "11월 SK하이닉스의 엔비디아 HBM4 인증 획득이 예상된다"며 "1차 공급자로서 내년 '루빈' HBM4 공급량의 60~70%를 점유할 것"이라고 예측했다. 현대차증권은 "낸드플래시 가격도 본격적으로 상승하고 AI 에이전틱 시대가 열리면서 추론용 반도체 수요도 늘고 있다"며 "2028년까지 HBM과 기업용 데이터 저장장치(eSSD) 등 수요 증가가 지속될 전망"이라고 밝혔다. ◎공감언론 뉴시스 [email protected] https://weekly.newsis.com

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삼성전자·SK하이닉스…반도체 전략은?[메모리 슈퍼사이클 온다③] [서울=뉴시스]이현주 기자 = AI(인공지능) 열풍 속에 메모리 초호황기는 이미 예견됐다. AI 인프라 투자가 확대되면서 고대역폭메모리(HBM)는 물론 범용 반도체까지 수요가 늘 것이라는 예측이 나오고 있고 이에 대응하려는 한국 반도체 업체들의 움직임도 빨라지고 있다. 28일 업계에 따르면 글로벌 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 D램 범용제품(DDR4 8GB)의 평균 현물가격이 5.87달러를 기록했다고 집계했다. 올 초까지만 해도 1달러 초반에 머물던 D램 가격이 지난달 5.70달러를 넘어선 데 이어 연일 최고치를 경신하고 있는 것이다. 올해 4분기 HBM을 포함한 D램 가격이 20% 정도 상승할 것이라는 전망도 내놨다. HBM을 포함한 D램 가격은 전 분기 대비 13~18% 상승, HBM을 제외한 범용 D램도 8~13% 상승할 것이라는 예상이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 연초부터 생산능력을 높이며 수요 상승에 대비해 왔다. 여기에 공급 부족 전망까지 나오면서 가격 인상 움직임도 엿보인다. 삼성전자는 샌디스크, 마이크론에 이어 D램은 최대 30%, 낸드는 5~10%가량 제품 가격 인상을 시도하는 것으로 전해졌다. SK하이닉스도 조만간 가격 인상에 합류할 수 있다는 관측이다. ◆삼성전자, 평택 P4 등 공장 증설 '한창' 최근 엔비디아로부터 5세대 제품인 HBM3E 품질 검증을 통과한 것으로 알려진 삼성전자는 내년 HBM4 적기 공급을 위한 1c(10나노급 6세대) D램 투자에 매진하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리짓고, P3 등 기존 공장 전환투자에도 속도를 내고 있다. HBM4부터는 SK하이닉스 등 경쟁업체에 뒤처지지 않겠다는 의지도 읽힌다. D램 칩은 10나노급 5세대(1c) D램 기술을 기반으로 하는데, HBM에 1c D램 기술을 도입한 것은 삼성전자가 처음이다. 베이스 다이도 삼성전자가 직접 삼성 파운드리(반도체 위탁생산)에서 생산한다. 삼성전자는 "HBM4 1c 나노 공정의 양산 전환 승인을 완료하고 이를 기반으로 제품 개발을 완료해 주요 고객사에게 샘플을 이미 출하했다"고 전했다. 양산 준비도 본격적으로 진행 중인 것으로 알려졌다. ◆SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 속도 SK하이닉스 역시 생산량을 늘려가며 수요 증가에 대비하는 모습이다. 청주캠퍼스 M15의 차세대 D램 생산능력을 증설하고, 2027년 상반기 중 가동을 목표로 건설 중인 용인 반도체 클러스터도 공사에 속도를 내고 있다. 앞서 SK하이닉스는 지난 12일 HBM4 12단 개발을 끝내고, 양산 채비를 마쳤다고 공식화했다. 기존 5세대(HBM3E)에서 적용한 공정을 그대로 가져간다. D램 칩은 10나노급 5세대(1b) D램 기술을 기반으로 한다. 패키징은 기존에 쓰던 주력 기술인 어드밴스드 '매스리플로우-몰디드 언더필(MR-MUF)' 공정을 적용해 양산 과정의 리스크를 최소화했다. HBM 가장 아랫부분인 베이스다이 제작은 대만 TSMC와 협력하고 있다. 증권가에서는 SK하이닉스의 HBM 경쟁력 우위가 지속될 것으로 본다. BNK투자증권은 최근 보고서를 통해 "11월 SK하이닉스의 엔비디아 HBM4 인증 획득이 예상된다"며 "1차 공급자로서 내년 '루빈' HBM4 공급량의 60~70%를 점유할 것"이라고 예측했다. 현대차증권은 "낸드플래시 가격도 본격적으로 상승하고 AI 에이전틱 시대가 열리면서 추론용 반도체 수요도 늘고 있다"며 "2028년까지 HBM과 기업용 데이터 저장장치(eSSD) 등 수요 증가가 지속될 전망"이라고 밝혔다. ◎공감언론 뉴시스 [email protected]

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